铝衬底微等离子体阵列的制作与光电特性测量

孟令国; 梁志虎; 刘纯亮; 梁海锋; 张小芸

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

铝衬底微等离子体阵列的制作与光电特性测量

专题研究 | 更新时间：2025-12-08

- 铝衬底微等离子体阵列的制作与光电特性测量
- Microplasma Arrays Fabricated in Aluminum Substrate and Its Photoelectric Characteristics
- 西安交通大学学报 2008年42卷第8期页码：982-985
- 作者机构：
  
  西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,西安,710049
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  : 2007-11-05. 作者简介: 孟令国(1978-),男,博士生;刘纯亮(联系人),男,教授,博士生导师. 基金项目: 国家自然科学基金重点资助项目(50637010)
- DOI：
  中图分类号： TN141.5
- 网络首发：2008-08-10，
  
  纸质出版：2008
- 稿件说明：
移动端阅览
孟令国, 梁志虎, 刘纯亮, 等. 铝衬底微等离子体阵列的制作与光电特性测量[J]. 西安交通大学学报, 2008,42(8):982-985.

孟令国, 梁志虎, 刘纯亮, et al. Microplasma Arrays Fabricated in Aluminum Substrate and Its Photoelectric Characteristics[J]. 2008, 42(8): 982-985.
孟令国, 梁志虎, 刘纯亮, 等. 铝衬底微等离子体阵列的制作与光电特性测量[J]. 西安交通大学学报, 2008,42(8):982-985. DOI：

孟令国, 梁志虎, 刘纯亮, et al. Microplasma Arrays Fabricated in Aluminum Substrate and Its Photoelectric Characteristics[J]. 2008, 42(8): 982-985. DOI：

摘要

在铝衬底上采用光刻工艺制作了带有氧化铟锡(ITO)透明电极的微等离子体阵列

实验研究了该微等离子体阵列在30～100 kPa氖气中的放电特性和发光特性.不同微腔尺寸的微等离子体阵列实验结果表明

对于微腔直径为150 μm的器件

击穿电压随着工作气压的升高先下降后上升

并且在53.2 kPa时达到最小值212 V.通过对微腔直径为50 μm和30 μm器件的击穿电压比较发现

在气压较低时

微腔尺寸大的器件更容易击穿

当气压较高时

微腔尺寸小的器件更容易击穿

并且微腔尺寸小的器件随着气压的升高击穿电压下降得更快.与目前商业等离子体显示器件(PDP)的击穿电压相比

微腔器件的击穿电压更低

而且在高气压下

采用更小的微腔作为PDP的显示单元

可以提高PDP的分辨率.

Abstract

Microplasma arrays are fabricated in aluminum substrate with indium tin oxides(ITO)electrode. The discharge characteristics and light emission of the devices at atmospheric pressure in neon are investigated experimentally. The experiment results for microplasma devices with different microcavity diameters show that the breakdown voltage of the microplasma device with 150 μm microcavity diameter reduces firstly and then increases as the operation pressure increases

and reaches the minimum value 212 V at 53.2 kPa. Devices with large microcavity diameters are easy to breakdown at low pressures.The breakdown voltage of the device with small microcavity diameter goes down quickly as the operation pressure increases. The breakdown voltage of microcavity is lower than the breakdown voltage of commercial plasma display panel(PDP). Using small microcavity as pixel of PDP can improve the resolution of PDP at high atmospheric pressure.

关键词

Keywords

references

胡文波,周俊峰,武文璞. 彩色等离子体显示屏新型Ne-Xe-Kr混合气体的研究 [J]. 西安交通大学学报,2004, 38(8): 843-846.

HU Wenbo, ZHOU Junfeng, WU Wenpu. New type of mixture gas Ne-Xe-Kr applied to color plasma display panels [J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 2004, 38(8): 843-846.

何锋,李永东,郭俊利,等. 交流等离子体显示板寻址和维持放电的二维流体模拟[J]. 西安交通大学学报, 2002, 36(8): 855-858.

HE Feng, LI Yongdong, GUO Junli, et al. Two-dimensional fluid simulation of addressing and sustaining discharge in alternating current plasma display panel [J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 2002, 36(8): 855-858.

梁志虎,刘纯亮,杜春艳, 等. 一种新的交流等离子体显示器等效电路模型[J]. 西安交通大学学报, 2003, 37(10): 1067-1070.

LIANG Zhihu, LIU Chunliang, DU Chunyan, et al. New equivalent circuit model for alternating current plasma display panel [J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 2003, 37(10): 1067-1070.

BECKER K H, SCHOENBACH K H, EDEN J G. Microplasmas and applications [J]. J Phys D: Appl Phys, 2006, 39(3): R55-R70.

EDEN J G, PARK S J, OSTROM N P, et al. Large arrays of microcavity plasma devices for active displays and backlighting [J]. Journal of Display Technology, 2005, 1(1): 112-117.

PARK S J, CHEN K F, SUNG S H, et al. Implications of microcavity plasma devices for new plasma-display-panel cell structures with improved luminosity [J]. Journal of the SID, 2005, 13(11): 949-954.

FRAME J W, WHEELER D J, de TEMPLE T A, et al. Microdischarge devices fabricated in silicon [J]. Appl Phys Lett, 1997, 71(9): 1165-1167.

CHEN K F, OSTROM N P, PARK S J, et al. One quarter million(500×500)pixel arrays of silicon microcavity plasma devices: luminous efficacy above 6 lumens/watt with Ne/50%Xe mixtures and a green phosphor [J]. Appl Phys Lett, 2006, 88(06): 1121-1123.

PARK S J, TCHERTCHIAN P A, SUNG S H, et al. Arrays of addressable microcavity plasma devices [J]. IEEE Transactions on Plasma Science, 2007, 35(2): 215-222.

商世广,朱长纯. 直流磁控溅射氧化铟锡薄膜的低温等离子退火研究[J]. 西安交通大学学报, 2007, 41(2): 236-240.

SHANG Shiguang, ZHU Changchun. Research on low temperature plasma annealing of indium tin oxide films prepared by direct current magnetron sputtering [J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 2007, 41(2): 236-240.

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

张角凹坑气膜孔对双层壁气膜冷却特性的影响

水蒸气掺混对氨裂解气旋流燃烧与排放特性的影响研究

三塔合一间接空冷系统结构参数对夏季运行特性的影响研究

电子级超纯氮深冷空分流程节能优化研究

电动车辆间接热系统快速除湿响应迟滞机理及优化控制策略