0.5μm栅长HfO<sub>2</sub>栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

韩克锋; 王创国; 朱琳; 孔月婵

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0.5μm栅长HfO₂栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

更新时间：2025-07-09

- 0.5μm栅长HfO₂栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
- 暂无标题
- 西安交通大学学报 2017年第8期页码：72-76
- 作者机构：
  
  中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(61474101)
- DOI：
  中图分类号： TN386
- 纸质出版：2017
- 稿件说明：
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韩克锋, 王创国, 朱琳, 等. 0.5μm栅长HfO₂栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管[J]. 西安交通大学学报, 2017,(8):72-76.
韩克锋, 王创国, 朱琳, 等. 0.5μm栅长HfO₂栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管[J]. 西安交通大学学报, 2017,(8):72-76. DOI：

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摘要

为了抑制GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅极漏电

提出了一种0.5μm栅长的GaN金属氧化物半导体（MOS）高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽

并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件

势垒层总厚度为20nm

挖槽深度为15nm

栅介质采用高介电常数的HfO

器件栅长为0.5μm。对器件电流电压特性和射频特性的测试结果表明:所制备的GaN MOSHEMT器件最大电流线密度达到0.9 A/mm

开态源漏击穿电压达到75 V;与GaN HEMT器件相比

其栅极电流被大大压制

正向栅压摆幅可提高10倍以上

并达到与同栅长GaN HEMT相当的射频特性。

Abstract

关键词

Keywords

references

陶洪琪,张斌,余旭明.X波段60W高效率GaN HEMT功率MMIC[J].固体电子学研究与进展,2016(04).

任春江,陶洪琪,余旭明,李忠辉,王泉慧,王雯,陈堂胜,张斌.0.15μm GaN HEMT及其应用[J].固体电子学研究与进展,2013(03).

任春江,王泉慧,刘海琪,王雯,李忠辉,孔月婵,蒋浩,钟世昌,陈堂胜,张斌.0.5μm AlGaN/GaN HEMT及其应用[J].固体电子学研究与进展,2011(05).

Ki‐Sik Im,Jong‐Bong Ha,Ki‐Won Kim,Jong‐Sub Lee,Dong‐Seok Kim,Hyun‐Chul Choi,Jung‐Hee Lee.AlGaN/GaN‐based normally‐off GaN MOSFET with stress controlled 2DEG source and drain[J].physica status solidi (c),2010.

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