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Published:2008
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盛兆玄, 冯玉军, 徐卓, et al. 强发射电流反铁电冷阴极材料的实验研究[J]. 2008, (8): 977-981.
DOI:
盛兆玄, 冯玉军, 徐卓, et al. 强发射电流反铁电冷阴极材料的实验研究[J]. 2008, (8): 977-981. DOI:
采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的PbLa(Zr
Sn
Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷样品.通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性
得到了激励电压对发射电流的影响规律
发射电流随激励电压增加而增加
当激励电压大于1.5 kV时
发射电流趋于饱和.在单脉冲激励下进行电子发射实验
得到如下结果:在激励电压为800 V、抽取电压为0 V的条件下
发射电流密度为1.27 A/cm2;当抽取电压增加到4 kV时
获得了1 700 A/cm2的大发射电流密度.研究结果表明
室温下PLZST的反铁电陶瓷可在较低激励电压下实现电子发射
发射电流密度大
能够工作于4 Pa的低真空环境中.
H. Gundel,H. Riege,E. J. N. Wilson,J. Handerek,K. Zioutas.Copious electron emission from PLZT ceramics with a high zirconium concentration[J].Ferroelectrics,1989(1).
冯玉军,徐卓,魏晓勇,姚熹.强电场作用下反铁电锆钛酸铅的介电行为研究[J].物理学报,2003(05).
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